第三千一百三十四章 追平和赶超的保证

胡长风这么高兴是有原因的，之前周至说了那么多，都不能解开他的疑虑，就是因为他知道国家在这个产业上真正的短板在哪里。

    如果这块短板没有补上，那周至把生态描绘得再漂亮也没用。

    相当于土地产权在别人手上，你把花园修得再漂亮，人家说收回就可以收回，你一点办法都没有。

    如果稀土材料的突破，真的能够让国家突破技术壁垒，从此拥有铜互联芯片制造技术的话，就可以在此基础上开始发展，最后在芯片领域达到甚至超越国际领先水平。

    其实经过不懈的耕耘，信息产业现在也不再是一穷二白，起码在存储、工控等芯片产业上，已经取得了相当的发展和优势，如果掌握了与铜互联技术相匹敌的稀土材料互联技术，胡长风完全有信心在各类芯片的高速化、小型化、复杂化方面，取得巨大突破。

    就算这个技术能够被用到现在已经非常成熟的存储芯片上，带给世界的震撼也是巨大的，目前华能集团已经掌握的多层叠加技术，如果能够实现稀土材料互联，相同体积的存储芯片，单层的立马可以扩容百分之三十，那十三层，就可以扩容四倍！

    这就意味着50G的移动硬盘，在体积，重量，耗电不变的情况下，可以升级成200G！而现在集团最高配置的250G移动闪存式硬盘，可以跨入T级！

    而读取速度也可以同步提升百分之三十！

    一旦存储取得这样的突破，国产操作系统占用空间比WIN和IOS多出几百兆，还能够叫弊端吗？那叫作为匹配强大功能而做出的必要占用！

    而两类存储芯片，目前已经国内已经做到了完全消化掉了闪存东芝，三星和索尼的技术，依托舛冈富士雄的发明，加上后续研发的多层叠加技术，如今已经走到了世界前列。

    一项科技的突破，带来的往往是一个产业的整体突破，如果稀土材料互联技术真如周至所言一般，那不待自我研发的CPU如何，光对华能的存储芯片产业而言，都是一个巨大的推动。

    胡长风当然也明白周至不会白白将这么大的一份利润拱手送给自己，于是将两手一摊：“你我之间，主打一个坦诚，说吧，什么条件？”

    “没什么条件。”周至笑得甚至有点谄媚：“除了稀土材料互联技术外，还有一项重要的鳍式场效应晶体管技术，我们集团想让部里签个头，以这两项技术为基础，发展出基于我们自主知识产权的非线性算力芯片，以GPU完成对CPU的替代，成为个人移动信息化终端设备的主流生态架构！”

    “至少成为国内主流架构，世界流行架构的三甲之一。”

    见胡长风还在迟疑，周至继续说道：“其实目前我们的算力卡已经具备了这方面的能力，所欠缺的只是硬件小型化和操作系统的个人化。在算法设计层面，非线性算力卡已经能够完美地胜任线性计算摹拟和非线性图形渲染两方面的工作，在算法层面已经完成了新一代GPU的设计。”

    “换句话说，现在我们要研发的芯片，就是将基于旧芯片和外围电子元器件，以及部分软件算法，集成为新一代的GPU，整个体积和算力水平不超过最新的Pentium  II，K6-2和PowerPC  G4。耗电也必须接近。”

    “先说说，这个鳍式场效应晶体管技术，之前就听说过名儿，到底是怎么回事儿？”

    “鳍式场效应晶体管，全称Fin  Field-Effect  Transistor，简称为FinFET，是一种区别于传统MOSFET结构的新技术。”

    “传统的MOSFET结构是平面型的，其结构可以用田野来打比方，最下面一层是绝缘基质，就好比土壤，上面是元器件，分为源极与漏极两种，就好比土地上的玉米地和麦子地，地与地之间是分离的，隔开它们的是沟道。”

    “和田地不一样的是，集成电路里的玉米地和麦子地之间是存在交流的，电子就好像农人，需要在不同的地块上走动，但是他们的走动不是随意的，而是通过架设在田地上的桥梁穿行，这种桥梁，在集成电路里被称为栅极。”

    “从设计理论上讲，所有农人都通过桥梁在田地间穿行，是集成电路设计的最佳要求，但是由于MOSFET的平面结构设计缺陷，导致很多农人可以不经由栅极构成的桥梁，直接穿过沟道，从玉米地到达麦子地，这种现象叫做‘沟道效应’，这部分不守规矩的农夫叫做‘漏电流’，对于电路控制是非常不利的。”

    “加州伯克利分校的胡正明教授提出了一种全新的设想，既然沟道对于抑制农人不守规矩穿梭田地的作用有限，那就换一个办法，将田地之间的基质填高，变成一道道墙体。而以前的桥梁需要用珍贵的材质填平自己所占的那部分沟道才能过沟，现在则成了便宜的绝缘基质抬高，占用了原来桥梁过沟的空间，变成了用便宜材料替代部分珍贵材料，还解决了制造成本。”

    “这样一来，MOSFET结构的沟道，变成了由绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍，源漏两极分别在其两端，三栅极紧贴其侧壁和顶部。这种鳍形结构增大了栅围绕沟道的面，加强了栅对沟道的控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的栅长，也正由于该特性，FinFET无须高掺杂沟道，就能够提高沟道载流子迁移率的同时，还有效降低杂质离子散射效应。”

    “就是对元器件之间的电流控制加强了。”胡长风说道：“是这个意思吧？”

    “对，这个需求在大制程的芯片上本来无需考虑。但是随着电路越来越精细，制程越来越小，栅极对沟道的控制能力就必须越来越强。缩短栅长并抑制短沟道效应，改善电路控制，减少漏电流，也成了超大规模集成电路先进制程工艺绕不开的，必须克服的工艺技术。”

    “就目前的技术发展而言，胡正明教授发明鳍式场效应晶体管技术，是最有希望在50纳米制程以下实现商业化应用的。”

    “我们现在不是还在准备攻克2.5微米吗？离五十纳米还早吧？”胡长风问道。

    “从理论上来说，我们拥有2.5微米制程生产线以后，再使用稀土材料互联技术，可以实现2.5微米到25纳米的超大规模集成电路芯片的生产，而获得鳍式场效应晶体管技术以后，则可以满足50纳米到5纳米制程的超大规模集成电路芯片的生产。”

    “两项技术相辅相成，一项是我们追平世界的保证，而另一项，则是赶超世界的保证。”(本章完)


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